【廣州★洋奕】　誰知道人生有多少不測(cè)？歲月流逝，時(shí)不我待。西風(fēng)凋敝，期期艾艾。秋，當(dāng)你輕輕走來，攜手那天邊的云彩，或許恰逢薄涼的慰藉，卻讓流離在在心湖里成了主宰。屈指西漢才女卓文君的“愿得一人心，白頭不相離”；唐代薛濤的“欲問相思處，花開花落時(shí)”；宋女朱淑真的“獨(dú)行獨(dú)坐，獨(dú)唱獨(dú)酬還獨(dú)臥”；大明女才子馮小青“瘦影自憐秋水照，卿須憐我我憐卿”；慨莫例外。德國HBM 1-CHW-2/60KN傳感器

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容式濕敏元件，*穩(wěn)定性都不理想，多數(shù)*使用漂移嚴(yán)重，濕敏電容容值變化為pF級(jí)，1%RH的變化不足0.5pF，容值的漂移改變往往引起幾十RH%的誤差，大多數(shù)電容式濕敏元件不具備40℃以上溫度下工作的性能，往往失效和損壞。 電容式濕敏元件抗腐蝕能力也較欠缺，往往對(duì)環(huán)境的潔凈度要求較高，有的產(chǎn)品還存在光照失效、靜電失效等現(xiàn)象，金屬氧化物為陶瓷濕敏電阻，具有濕敏電容相同的優(yōu)點(diǎn)，但塵埃環(huán)境下，陶瓷細(xì)孔被封堵元件就會(huì)失效，往往采用通電除塵的方法來處理，但效果不夠理想，且在易燃易爆環(huán)境下不能使用，氧化鋁感濕材料無法克服其表面結(jié)構(gòu)"天然老化"的弱點(diǎn)，阻抗不穩(wěn)定，金屬氧物陶瓷濕敏電阻也同樣存在*穩(wěn)定性差的弱點(diǎn)。 氯化鋰濕敏電阻，具有突出的優(yōu)點(diǎn)是*穩(wěn)定性*，因此通過嚴(yán)格的工藝制作，制成的儀表和傳感器產(chǎn)品可以達(dá)到較高的精度，穩(wěn)定性強(qiáng)是產(chǎn)品具備良好的線性度、精密度及*性，是*使用壽命的可靠保證。氯化鋰濕敏元件的*穩(wěn)定性其它感濕材料尚無法取代。

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在系統(tǒng)中,采用總線切換的方式達(dá)到兩存儲(chǔ)器交替讀寫的功能。當(dāng)CPLD將A/D轉(zhuǎn)換器輸出的圖像數(shù)據(jù)寫入RAM1時(shí),DSP可以讀取RAM2中的數(shù)據(jù)并處理前一幀圖像的數(shù)據(jù)。當(dāng)CPLD寫完一幀圖像數(shù)據(jù),并且DSP完成前一幀圖像的處理后,改為CPLD向RAM2寫數(shù)據(jù),DSP讀取RAM1中的數(shù)據(jù)。每隔一段時(shí)間,DSP和CPLD交換一次存儲(chǔ)器,如此循環(huán),使得DSP的圖像處理和CIS的圖像采集可以并行獨(dú)立工作,保證了圖像的實(shí)時(shí)性和高速性。

圖3中,RAM1和RAM2為2片IS61C1024,構(gòu)成雙數(shù)據(jù)緩沖存儲(chǔ)區(qū)。M1～M4分別是由74HC16245所構(gòu)成的,實(shí)現(xiàn)地址總線切換控制。N1～N4是由74HC245所實(shí)現(xiàn)的數(shù)據(jù)總線切換控制。C1和C2實(shí)現(xiàn)了存儲(chǔ)器控制線(RD讀信號(hào)、WR寫信號(hào)等)的切換控制。當(dāng)選擇線E為高電平時(shí),M1、M4、N1、N3及C1處于工作狀態(tài),而M2、M3、N2、N4及C2處于高阻狀態(tài)。因此RAM1的數(shù)據(jù)總線、地址總線及控制總線與CPLD相連接,RAM2的全部總線與DSP相連接。從而實(shí)現(xiàn)由CPLD向RAM1寫數(shù)據(jù),DSP從RAM2讀數(shù)據(jù)。當(dāng)選擇線E為低電平時(shí),情況相反,DSP從RAM1讀數(shù)據(jù),數(shù)據(jù)。

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人生若只如初見，何事秋風(fēng)悲畫扇？” 納蘭性德哀感頑艷，道盡相思苦澀。“回廊一寸相思地，落月成孤倚。”“誰念西風(fēng)獨(dú)自涼？蕭蕭黃葉閉疏窗，沉思往事立殘陽。”常常想，不應(yīng)把世事不測(cè)、命途舛迕歸怨于秋。相遇系結(jié)隨緣，落英印在眸中 ，離散不忘初心。

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