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半導體尋路和器件開發(fā)工作流程示例

半導體器件結構的日益復雜以及結構尺寸的縮小意味著設計下一代器件比以往更具挑戰(zhàn)性并且更耗時。這一情況與可用技術和設計選項的數(shù)量不斷增加的事實相結合，意味著任何特定設計在商業(yè)上取得成功的可能性將降低。因此，器件生產商需要可以減少可用可行選項的數(shù)量并幫助其更快地實施解決方案的可靠的尋路工具。

考慮現(xiàn)有的所有芯片、封裝和系統(tǒng)集成選項的復雜性使得實現(xiàn)這一目標成為一項使人望而生畏的任務。因此，極為先進的尋路能力的持續(xù)發(fā)展已成為高效半導體器件設計的一項要求。具有多面 3D 架構的結構也使這種復雜程度增加。在聚焦離子束 (FIB) 切割結構截面中分離缺陷或解析材料界面需要高精度制備和后續(xù)掃描電子顯微鏡 (SEM) 或掃描透射電子顯微鏡 (STEM) 成像。精密 FIB 編輯工具還可以執(zhí)行新電路設計的顯微外科手術和納米原型設計。最后，由于樓層空間和預算有限，實驗室正在推動在單個系統(tǒng)中設置多個分析選項，以在盡可能短的時間內獲得極為全面的數(shù)據(jù)。

Thermo Fisher Scientific 可提供全套分析儀器，能夠在創(chuàng)新的邏輯、存儲器、電源和顯示器件技術方面實現(xiàn)高級 R&D。我們提供使用 STEM 和 FIB 顯微鏡進行原子級研究和原型設計的極為先進的能力。