1769-OW16，1769-OW16

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從70年代起，主儲器已逐步采用大規(guī)模集成電構(gòu)成。

用得zui普遍的也是的動態(tài)隨機存儲器芯片（DRAM）。1995年集成度為64Mb（可存儲400萬個漢字）的DRAM芯片已經(jīng)開始商業(yè)性生產(chǎn)，16MbDRAM芯片已成為市場主流產(chǎn)品。DRAM芯片的存取速度適中，一般為50~70ns。有一些改進型的DRAM，如EDO DRAM（即擴充數(shù)據(jù)輸出的DRAM），其性能可較普通DRAM提高10%以上，又如SDRAM（即同步DRAM），其性能又可較EDO DRAM提高10%左右。1998年SDRAM的后繼產(chǎn)品為SDRAMⅡ（或稱DDR，即雙倍數(shù)據(jù)速率）的品種已上市。在追求速度和可靠性的場合，通常采用價格較貴的靜態(tài)隨機存儲器芯片（SRAM），其存取速度可以達到了1~15ns。無論主存采用DRAM還是SRAM芯片構(gòu)成，在斷電時存儲的信息都會“丟失"，因此計算機設(shè)計者應考慮發(fā)生這種情況時，設(shè)法維持若干毫秒的供電以保存主存中的重要信息，以便供電恢復時計算機能恢復正常運行。鑒于上述情況，在某些應用中主存中存儲重要而相對固定的程序和數(shù)據(jù)的部分采用“非易失性"存儲器芯片（如EPROM，快閃存儲芯片等）構(gòu)成；對于*固定的程序，數(shù)據(jù)區(qū)域甚至采用只讀存儲器（ROM）芯片構(gòu)成

；主存的這些部分就

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